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Memorie flash Le memorie flash sono di tipo EEprom. Presentano una griglia con colonne e righe ed ha 2 transistor in ogni intersezione. I 2 transistor sono separati uno dall’ altro da uno strato di ossido. Uno dei transistor è conosciuto come “Floating Gate”, e l’ altro è il “Control Gate”. Gli unici collegamenti dei floating gate alla riga (World Line) è tramite il control gate. Finchè ce questo collegameto la cella ha valore 1. Per cambiare il valore a 0 richiede un curioso processo chiamato: Fowler-Nordhaim Tunneling. Il tunnel è usato per alterare la disposizione degli elettroni nel nel floating gate. Una carica elettrica, solitamente di 10-13 Volt viene applicata al gate. La carica viene dalla colonna (Bit Lane) entra nel gate e si scarica a terra. Questa carica causa al transistor del floating gate a comportarsi come un “cannone elettrico”. Gli elettroni eccitati sono spinti attraverso e bloccati su un lato dello stato si ossido, dandogli carica negativa. Gli elettroni carichi negativamente fungono da bariera fra il control gate e il floating gate. Un dispositivo speciale chiamato “Cell Sensor”, monitora il livello di carica che passa attraverso il floating gate. Se il flusso attraverso il gate è maggiore del 50, ha valore “1”. Quando la carica che passa attraverso è minore del 50, il valore passa a “0”. In una EEprom completamente cancellata ha tutti i gate aperti, quindi cella assume valore “1”. Gli elettroni nelle celle di una memoria flash, può tornare al normale “1” con l’applicazione di un campo magneticon ad alto voltaggio. Le memore flash usano il “In-circuit wiring” per applicare il campo magnetico all’interno del chip in determinati settori conosciuti come blocchi. Questo cancella la zona del circuito integrato, che può essere riscritto. Le memorie flash lavorano molto più velocemente delle tradizionali EEprom perchè invece di cancellare un byte alla volta, cancella un blocco intero o l’intero chip. (segue nel file da scaricare)
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