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Il transistor mos Oltre ai transistor bipolari, esistono anche transistor ad effetto di campo, detti anche transistor unipolari. I transistor ad effetto di campo, come ad esempio il MOS, è ampiamente utilizzato come interruttore e ciò ha permesso la realizzazione di circuiti integrati logici ad altissima scala di integrazione, comprendenti più di milioni di transistor su una sola piastra di silicio. I MOS hanno inoltre soppiantato i transistor bipolari nelle applicazioni come interruttori di potenza ad alta velocità: infatti mentre un transistor bipolare impiega un tempo dell’ordine di grandezza dei microsecondi per interrompere una corrente di svariati Ampere, un MOS compie la stessa operazione in un tempo 100 volte inferiore. Schema di un transistor MOS: Un transistor MOS è costituito da un blocco di silicio drogato di tipo “p”, in cui sono ricavate due zone separate di tipo “n”, che costituiscono il Source (S) e il Drain (D). La zona tra S e D è la sede del canale di conduzione di cariche. Al di sopra del canale viene depositato un sottile strato di isolante e sopra viene depositato un elettrodo metallico che costituisce il Gate ( dispositivo di controllo ). Se il gate viene lasciato a potenziale zero, non vi è passaggio di corrente, mentre se viene reso sufficientemente positivo rispetto al source, il campo elettrico che si forma riesce ad attirare abbastanza elettroni nella zona sotto il gate, inducendo un canale n che collega S e D, permettendo così il passaggio di corrente. (segue nel file da scaricare)